دانلود پایان نامه

عشعی یک ساختار چند لایه ۳۱
۳-۶-۱ پلاریزاسیون s ۳۱
۳-۶-۲ پلاریزاسیون p ۳۳
۳-۷ محاسبه خواص تشعشعی یک ساختار چند لایه شامل یک لایه ضخیم ۳۴
فصل چهارم: مدلسازی و روش بهینه سازی ۳۷
۴-۱ خنک کاری تشعشعی ۳۷
۴-۲ آینه های حرارتی ۴۲
۴-۳ ضریب جذب ماکزیمم در محدوده تشعشع خورشید ۴۳
۴-۴ ضریب عبور ماکزیمم در محدوده تشعشع خورشید ۴۳
۴-۵ ضریب بازتاب ماکزیمم در محدوده تشعشع خورشید ۴۴
۴-۶ روش بهینه سازی ۴۴
۴-۶-۱ الگوریتم ژنتیک ۴۴
۴-۶-۲ روش عملیات حرارتی شبیه سازی شده ۴۶
فصل پنجم: ارائه و تحلیل نتایج ۴۹
۵-۱ اعتبارسنجی محاسبات ۴۹
۵-۲ خنک کاری تشعشعی ۵۳
۵-۲-۱ خنک کاری در طول روز ۵۳
۵-۲-۲ خنک کاری در شب ۶۸
۵-۲-۳ خنک کاری با استفاده از مواد با قابلیت انحلال در آب ۷۶
۵-۳ آینه های حرارتی ۸۱
۵-۳-۱ لایه ضخیم SiO2 ۸۲
۵-۳-۲ لایه ضخیم BaTiO3 ۸۸
۵-۴ ضریب جذب ماکزیمم در محدوده تشعشعی خورشید ۹۷
۵-۴-۱ ضریب جذب ماکزیمم سلولهای خورشیدی لایه نازک ۱۰۱
۵-۵ ضریب بازتاب ماکزیمم در محدوده تشعشعی خورشید ۱۰۳
۵-۶ ضریب عبور ماکزیمم در محدوده تشعشعی خورشید ۱۰۴
فصل ششم: نتیجه گیری و پیشنهاد ۱۰۵
۶-۱ نتیجه گیری ۱۰۵
۶-۲ پیشنهاد برای پژوهش های آتی ۱۰۶
پیوست ۱: نحوه محاسبه خواص تشعشعی به کمک نظریه الکترودینامیک ………………………………………………………………۱۰۸
پ۱-۱ معادلات مکسول…………………………………………………………………………………………………………………………..۱۰۸
پ۱-۲ معادله موج………….. ……………………………………………………………………………………………………………………..۱۱۰
پ۱-۲-۱ فرض هدایت الکتریکی صفر… ……………………………………………………………………………………………………….۱۱۰
پ۱-۲-۲ فرض هدایت الکتریکی غیر صفر………… ………………………………………………………………………………………….۱۱۳
پ۱-۳ بردار پویینتینگ…………………………………………………………………………………………………………………………….۱۱۴
پ۱-۴ محاسبه خواص تشعشعی سطح مشترک دو محیط………………. ………………………………………………………………۱۱۷
پ۱-۴-۱ پلاریزاسیون s……… ……………………………………………………………………………………………………………………..۱۱۷
پ۱-۴-۲ پلاریزاسیون p……… ……………………………………………………………………………………………………………………..۱۲۰
پ۱-۵ محاسبه خواص تشعشعی یک ساختار چند لایه……. ……………………………………………………………………………۱۲۳
پ۱-۵-۱ پلاریزاسیون s……… ……………………………………………………………………………………………………………………..۱۲۳
پ۱-۵-۲ پلاریزاسیون p……………………………………………………………………………………………………………………………..127
پیوست ۲: نمودارهای خواص تشعشعی ساختارهای بهینه ۱۳۰
پ۲-۱-نمودارهای ساختارهای بهینه خنک کاری در روز ۱۳۰
پ۲-۲-نمودارهای ساختارهای بهینه خنک کاری در شب ۱۴۴
پ۲-۳-نمودارهای ساختارهای بهینه آینه حرارتی ۱۵۰
پ۲-۴-نمودارهای ساختارهای بهینه با ضریب جذب بالا ۱۵۶
مراجع ۱۶۲

فهرست اشکال
عنوان صفحه
شکل ‏۱-۱- یک ساختار چندلایه ۳
شکل ‏۱-۲- تشعشع خورشید (سمت چپ) و تشعشع آسمان و مقایسه آن با توزیع پلانک ۲۸۸.۱ K (سمت راست) ۴
شکل‏۲-۱- ضریب بازتاب اندازه گیری شده ساختار SiO/Al/Glass برای ضخامت ۰.۸ ?m ، (خط چین پایین) ۱ ?m (خط پر رنگ) و ۱.۲ ?m (خط چین پایین) از لایه SiO ۱۰
شکل ‏۲-۲ – ضریب بازتاب ساختار Si3N4/Al/Glass ۱۱
شکل ‏۲-۳- نمودار و برحسب ضخامت slab برای گازهای NH3 ، C2H4 و C2H4O ۱۱
شکل ‏۲-۴- نمودار و برحسب درصد C2H4O در C2H4 برای مخلوطی از این دو گاز برای سه ضخامت مختلف ۱۲
شکل‏۲-۵ – ضریب بازتاب ساختار SiO0.6N0.2/Al/Glass و بهینه سازی بر اساس ضخامت ۱۳
شکل ‏۲-۶- نمودار و را برحسب ضخامت لایه های SiO2 و SiO0.25N1.52 در ساختار SiO2/SiO0.25N1.52/Al/Glass ۱۳
شکل‏۲-۷ – ضریب بازتاب ساختار SiO2/SiO0.25N1.52/Al/Glass ۱۴
شکل‏۲-۸ – ضرایب بازتاب (R) ، عبور (T) و جذب (A) CdTe/Si اندازه گیری شده توسط بن لتار و همکاران ۱۶
شکل‏۲-۹ – ضرایب بازتاب (R) ، عبور (T) و جذب (A) CdS اندازه گیری شده توسط بن لتار و همکاران ۱۷
شکل‏۲-۱۰ – ضرایب بازتاب (R) ، عبور (T) و جذب (A) اندازه گیری شده برای ترکیب شیشه (۳ mm) ، فولاد زنگ نزن (۴۵ nm) و قلع (۱۹۵ nm) توسط مهیب و همکاران ۱۸
شکل ‏۲-۱۱ – نمودار دمای محیط (Tamb) و مینیمم دمای ثبت شده (Trad) در طول ساعات روز توسط مهیب و همکاران ۱۹
شکل‏۲-۱۲ – پوشش نوسانی دوبعدی ۲۲
شکل ‏۲-۱۳ – پوشش نوسانی سه بعدی ۲۳
شکل ‏۳-۱-کسر انرژی بازتابیده و عبور کرده از یک لایه ضخیم ۲۹
شکل ‏۳-۲- کسر انرژی بازتابیده و عبور کرده از یک لایه نازک با درنظر گرفتن تغییر فاز موج ۳۰
شکل ‏۳-۳- یک ساختار متشکل از N-2 لایه نازک ۳۲
شکل ‏۳-۴- یک ساختار متشکل از N-2 لایه نازک ۳۵
شکل‏۳-۵- فلوچارت محاسبه خواص تشعشعی در یک طول موج مشخص ۳۶
شکل ‏۴-۱- محفظه خنک کاری ، پوشش جابه جایی و منطقه خنک کاری ۳۸
شکل ‏۴-۲- تابش یک پرتو با شدت واحد از پوشش به سمت پایین ۳۹
شکل ‏۴-۳- تابش یک پرتو با شدت واحد از منطقه خنک کاری به سمت بالا ۳۹
شکل ‏۴-۴- شار طیفی خورشید ۴۱
شکل ‏۴-۵- شار طیفی جو ۴۱
شکل ‏۴-۶ – فلوچارت الگوریتم ژنتیک ۴۵
شکل ‏۴-۷- فلوچارت روش عملیات حررتی شبیه سازی شده ۴۷
شکل ‏۵-۱- ضریب عبور و بازتاب یک لایه Al2O3 به ضخامت ۳ میلیمتر و مقایسه با مقادیر اندازه گیری شده در مرجع [۵۴] ۵۰
شکل ‏۵-۲- ضریب عبور و بازتاب یک لایه CaF2 به ضخامت ۵ میلیمتر و مقایسه با مقادیر اندازه گیری شده در مرجع [۵۴] ۵۰
شکل ‏۵-۳- ضریب عبور یک لایه پلی اتیلن به ضخامت ۵۰ میکرومتر و یک لایه پلی اتیلن با پوشش ۱۲۰ نانومتر Te و مقایسه با مقادیر اندازه گیری شده در مرجع [۲۶] ۵۰
شکل ‏۵-۴- ضریب عبور و بازتاب یک لایه KBr به ضخامت ۵ میلیمتر و مقایسه با مقادیر اندازه گیری شده در مرجع [۵۴] ۵۱
شکل ‏۵-۵- ضریب عبور و بازتاب یک لایه LiF به ضخامت ۵ میلیمتر و مقایسه با مقادیر اندازه گیری شده در مرجع [۵۴] ۵۱
شکل ‏۵-۶- ضریب عبور و بازتاب یک لایه NaF به ضخامت ۶/۱ میلیمتر و مقایسه با مقادیر اندازه گیری شده در مرجع [۵۴] ۵۱
شکل ‏۵-۷- ضریب عبور یک لایه پلی اتیلن به ضخامت ۵۰ میکرومتر پوشش داده شده با لایه نازک PbSe به ضخامت ۲۱۰ نانومتر و مقایسه با مقادیر اندازه گیری شده در مرجع [۲۸] ۵۲
شکل ‏۵-۸- ضریب عبور یک لایه پلی اتیلن به ضخامت ۴۲۰ میکرومتر و مقایسه با مقادیر اندازه گیری شده در مرجع [۲۳] ۵۲
شکل ‏۵-۹- ضریب عبور و بازتاب یک لایه SrTiO3 به ضخامت ۱/۳ میلیمتر و مقایسه با مقادیر اندازه گیری شده در مرجع [۵۴] ۵۲
شکل ‏۵-۱۰- نمودار بهترین مقدار و مقدار متوسط CP در هر نسل (الگوریتم ژنتیک) منجر به ساختار S11 ۵۷
شکل ‏۵-۱۱- خواص تشعشعی ساختار S11 در محدوده تشعشع خورشید، در جهت نرمال ۵۸
شکل ‏۵-۱۲- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S11 در محدوده تشعشع خورشید ۵۸
شکل ‏۵-۱۳- خواص تشعشعی ساختار S11 در محدوده مادون قرمز، در جهت نرمال ۵۸
شکل ‏۵-۱۴- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S11 در محدوده مادون قرمز ۵۹
شکل ‏۵-۱۵- نمودار بهترین مقدار و مقدار جاری CP در هر تکرار (الگوریتم عملیات حرارتی شبیه سازی شده) منجر به ساختار S12 ۵۹
شکل ‏۵-۱۶- خواص تشعشعی ساختار S12 در محدوده تشعشع خورشید، در جهت نرمال ۵۹
شکل ‏۵-۱۷- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S12 در محدوده تشعشع خورشید ۶۰
شکل ‏۵-۱۸- خواص تشعشعی ساختار S12 در محدوده مادون قرمز، در جهت نرمال ۶۰
شکل ‏۵-۱۹- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S12 در محدوده مادون قرمز ۶۰
شکل ‏۵-۲۰- نمودار بهترین مقدار و مقدار جاری CP در هر تکرار (الگوریتم عملیات حرارتی شبیه سازی شده) منجر به ساختار S13 ۶۱
شکل ‏۵-۲۱- خواص تشعشعی ساختار S13 در محدوده تشعشع خورشید، در جهت نرمال ۶۱
شکل ‏۵-۲۲- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S13 در محدوده تشعشع خورشید ۶۲
شکل ‏۵-۲۳- خواص تشعشعی ساختار S13 در محدوده مادون قرمز، در جهت نرمال ۶۲
شکل ‏۵-۲۴- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S13 در محدوده مادون قرمز ۶۲
شکل ‏۵-۲۵- نمودار بهترین مقدار و مقدار متوسط CP در هر نسل (الگوریتم ژنتیک) منجر به ساختار S14 ۶۳
شکل ‏۵-۲۶- خواص تشعشعی ساختار S14 در محدوده تشعشع خورشید، در جهت نرمال ۶۳
شکل ‏۵-۲۷- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S14 در محدوده تشعشع خورشید ۶۳
شکل ‏۵-۲۸- خواص تشعشعی ساختار S14 در محدوده مادون قرمز، در جهت نرمال ۶۴
شکل ‏۵-۲۹- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S14 در محدوده مادون قرمز ۶۴
شکل ‏۵-۳۰- نمودار بهترین مقدار و مقدار متوسط CP در هر نسل (الگوریتم ژنتیک) منجر به ساختار S15 ۶۴
شکل ‏۵-۳۱- خواص تشعشعی ساختار S15 در محدوده تشعشع خورشید، در جهت نرمال ۶۵
شکل ‏۵-۳۲- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S15 در محدوده تشعشع خورشید ۶۵
شکل ‏۵-۳۳- خواص تشعشعی ساختار S15 در محدوده مادون قرمز، در جهت نرمال ۶۵
شکل ‏۵-۳۴- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S15 در محدوده مادون قرمز ۶۶
شکل ‏۵-۳۵- نمودار بهترین مقدار و مقدار جاری CP در هر تکرار (الگوریتم عملیات حرارتی شبیه سازی شده) منجر به ساختار S18 ۷۱
شکل ‏۵-۳۶- خواص تشعشعی ساختار S18 در محدوده مادون قرمز، در جهت نرمال ۷۱
شکل ‏۵-۳۷- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S18 در محدوده مادون قرمز ۷۱
شکل ‏۵-۳۸- نمودار بهترین مقدار و مقدار متوسط CP در هر نسل (الگوریتم ژنتیک) منجر به ساختار S21 ۷۲
شکل ‏۵-۳۹- خواص تشعشعی ساختار S21 در محدوده مادون قرمز، در جهت نرمال ۷۲
شکل ‏۵-۴۰- خواص تشعشعی نیمکروی ساختار S21 در محدوده مادون قرمز ۷۳
شکل ‏۵-۴۱- نمودار بهترین مقدار و مقدار جاری CP در هر تکرار (الگوریتم عملیات حرارتی شبیه سازی شده) منجر به ساختار S25 ۷۳
شکل ‏۵-۴۲- خواص تشعشعی ساختار S25 در محدوده مادون

دسته بندی : No category

دیدگاهتان را بنویسید